دوشنبه ۳۱ تير ۱۳۹۸ | Monday 22 July 2019
ورود کاربران | EN | نقشه سایت

ورود به حساب کاربری

نام کاربری
رمز ورود
بخاطر سپردن شما در سیستم

آرشیو اخبار

موفقیت در ساخت لایه های نازک نیمه هادیهای گروه II-VI و IV-VI در پژوهشگاه مواد و انرژی

دکتر امیر علی یوزباشی رئیس پژوهشکده نیمه هادیها در پژوهشگاه مواد و انرژی از دریافت پاسخ­ های مثبت در ارتباط با ساخت لایه ­های نازک نیمه هادیهای گروه II-VI و IV-VI از طریق روش های شیمیایی، جهت کاربرد در سنسورها و آشکارسازها در این پژوهشکده خبر داد.

به گزارش روابط عمومی پژوهشگاه، دکتر یوزباشی با بیان این مطلب افزود: ساخت مواد نیمه­هادی با خواص گوناگون اپتیکی، الکتریکی و اپتوالکتریکی از طریق روش های ساده و ارزان شیمیایی بخصوص از زمان ظهور نانوفناوری و شناخت خواص و پدیده ­های جالب توجه آنها، هدف بسیاری از محققین در سطح دنیا قرار گرفته است و چاپ سالانه تعداد بیشماری مقاله در این زمینه، گویای اهمیت آن می­ باشد.

وی اظهار داشت: فعالیت های تحقیقاتی ما در این زمینه از حدود 2 سال پیش در مورد مشخصه­ یابی لایه­ های نازک PbS بعنوان آشکارساز IR شروع شد و همچنان، بخصوص در زمینه ساخت و بررسی آنها ادامه دارد.

 رئیس پژوهشکده نیمه هادیها  خاطرنشان کرد: نتایج اخیر این پژوهش حاکی از آن است که کنترل بهینه فرآیند لایه ­نشانی شیمیایی PbS یا هر ترکیب نیمه هادی دیگری در گروه II-VI ، امکان ساخت لایه­ های نازک قابل مهندسی دارای ساختار و خواص کنترل شده را فراهم می­ کند.

وی ادامه داد: در واقع چالش اصلی امروز محقیق در این زمینه نیز مهندسی ساخت این لایه­­ها از طریق روش­ های شیمیایی ساده و ارزان می­باشد.

دکتر یوزباشی افزود: موضوع جالب دیگر در این زمینه این است که چنانچه بتوان لایه­ های نانوساختار گوناگون این مواد را تحت شرایط کنترل شده و تکرارپذیر تهیه نمود، کاربردهای مدرن چنین موادی در سلول های خورشیدی نسل جدید و حتی قطعات الکترونیکی مدرن و ارزان نیز عرضه خواهد شد.